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Data Sheet
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Shottky barrier diode
RB715W
?Applications
?Dimensions (Unit : mm) ?Land size figure (Unit : mm)
Low current rectification
?Features
1) Ultra small power mold type. (EMD3)
2) Low IR
3) High reliability.
?Construction 1.0±0.1
0.7±0.1
?Structure
Silicon epitaxial planar
?Taping specifications (Unit : mm)
?Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
ParameterSymbol UnitLimits
Reverse voltage (repetitive peak)VRM
40
V
Reverse voltage (DC)VR
40
V
Average rectified forward current 30Io mA
Forward current surge peak (60Hz?1cyc) (*1)IFSM
200
mA
Junction temperature 125Tj °C
Storage temperatureTstg °C?40 to ?125
?Electrical characteristics
(Ta=25°C)
ParameterSymbol Min. Typ. Max. Unit
Forward voltageVF
- - 0.37 V
IF=1mA
Reverse currentIR
--1μAVR=10V
Capacitance between terminalsCt - 2.0 - pFVR=1.0V f=1.0MHz
Conditions
(*1) Rating of per diode
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.1φ1.5
?0.1
　　　　　 0?0
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
φ0.5±0.1
1.8±0.2
0.3±0.1
1.8±0.1
5.5±0.2
0.9±0.2
0～0.1
ROHM : EMD3
JEITA : SC-75A
JEDEC : SOT-416
dot (year week factory)
(3)
1.6±0.2
1.6±0.2
0.8±0.1
0.5
0.5
(2)
(1)
0.15±0.05
0.55±0.1
0.1Min
0～0.1
0.2±0.1
　　-0.05
0.3±0.1
　　　 0.05
EMD3
1.0
0.7
0.5
0.5
0.7
0.7
0.6
0.6
1.3
1/3
2011.04 - Rev.C
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